strona główna    opis programu    materiały    linki		Strona poświęcona jest Zadaniu 2 zatytułowanemu: Opracowanie metod projektowania oraz wytwarzania struktur i przyrządów w podłożu z węglika krzemu. realizowanego w ramach Projektu Badawczego Zamawianego: Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur. Zadanie 2 obejmuje następujące projeky: Opracowanie metod charakteryzacji parametrów podłoży SiC i ich powierzchni granicznych z innymi materiałami oraz ich wykorzystanie do badania struktur realizowanych w PBZ. Technologia kontaktów I montażu dla przyrządów z węglika krzemu do zastosowań wysokotemperaturowych, wysokomocowych i wysokoczęstotliwościowych. Domieszkowanie węglika krzemu metodą implantacji jonowej. Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET i diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/Sic przeznaczonych do prac w zakresie b w. cz. Opracowanie technologii wytworzenia diody p-i-n w podłożu SiC. Przyrządy unipolarne i struktury tranzystorowe na potrzeby elektroniki wysokotemperaturowej.

Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices