|
|
|
Opracowanie metod charakteryzacji parametrów podłoży SiC i ich powierzchni granicznych z innymi materiałami oraz ich wykorzystanie do badania struktur realizowanych w PBZ.
Instytucja: Instytut Technologii Elektronowej
Kierownik projektu: prof. dr hab. Henryk Przewłocki
Podstawowe zadania:- metody charakteryzacji parametrów podłoży SiC oraz powierzchni granicznych pomiędzy podłożem SiC i innymi materiałami,
- charakteryzacja struktur SiC przed i po procesach technologicznych realizowanych w ramach pozostałych projektów.
Streszczenie:
Możliwość szybkiej i wiarygodnej charakteryzacji parametrów materiałowych jest jednym z czynników decydujących o jakości opracowywanych procesów technologicznych, metod projektowania oraz wytwarzania struktur półprzewodnikowych. W porównaniu z krzemem i materiałami półprzewodnikowymi z grupy AIIIBV technologie wytwarzania podłoży i struktur SiC oraz związane z nimi miernictwo są jeszcze w dość wczesnej fazie rozwoju i wymagają wielu prac badawczych.
Od 2003 r., głównie we współpracy z Chalmers University (Goeteborg, Szwecja) oraz Acreo AB (Kista, Szwecja), Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych w ITE prowadzi pomiary struktur MOS i diod Schottky'ego wykonanych na podłożach SiC. W pracach tych wykorzystujemy metody optyczne, elektryczne i fotoelektryczne.
Metody optyczne to przede wszystkim elipsometria spektroskopowa, interferometria reflektometria oraz mikrospektroskopia Ramana. W zakresie pomiarów elektrycznych dysponujemy odpowiednią infrastrukturą (klimatyzowane pomieszczenie, specjalny system uziemień, przewodząca podłoga itp.), szeroką gamą metod i szeregiem wysokiej klasy urządzeń do pomiarów pojemnościowo-napięciowych, prądowo-napięciowych oraz do badań metodami spektroskopii konduktancyjnej. Umiemy określać szereg ważnych parametrów użytkowych struktur MOS na podłożach SiC, takich jak napięcia charakterystyczne (VFB, VT), ładunki charakterystyczne (Qeff, Qm, Qf), parametry generacyjno-rekombinacyjne - Dit(ET), (ET), δ(ET) - i wiele innych. W dziedzinie metod fotoelektrycznych dysponujemy unikatową aparaturą badawczo-pomiarową umożliwiającą zarówno realizację klasycznych metod pomiaru, jak również realizację oryginalnych metod pomiarowych, opracowanych w naszym zakładzie. Metody te umożliwiają przede wszystkim określanie schematu pasmowego badanych struktur. Realizacja tego projektu umożliwi opracowanie technik pomiarowych najwłaściwszych dla wszechstronnej oceny technologii SiC oraz osiągnięcie celów projektu zamawianego PBZ-MEiN-6/2/2006 w zakresie punktu 1, 2 i 4. | | Raporty: | | | Prezentacje: | | Spotkanie Łódź XI 2008 - H. Przewłocki | | Seminarium ITME V 2010 - H. Przewłocki | | Artykuły: | |
|
|
